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notizie sull'azienda Atomizzazione dei Nanomaterials ultrasonici - rivestimento ultrasonico dello spruzzo della batteria porosa del film sottile Nano-TiO2

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Atomizzazione dei Nanomaterials ultrasonici - rivestimento ultrasonico dello spruzzo della batteria porosa del film sottile Nano-TiO2
ultime notizie sull'azienda Atomizzazione dei Nanomaterials ultrasonici - rivestimento ultrasonico dello spruzzo della batteria porosa del film sottile Nano-TiO2

Atomizzazione dei Nanomaterials ultrasonici - rivestimento ultrasonico dello spruzzo di

Batteria porosa del film sottile Nano-TiO2

 

Riassunto: La pila solare Nano-TiO2 è un modo efficace di risolvere il problema energetico. Tuttavia, come migliorare il tasso di conversione è la preparazione difficile della pila solare nano-TiO2. Questo articolo introdurrà la nostra società ha sviluppato un nuovo tipo di tecnologia nano-porosa della preparazione del film TiO2 - la tecnologia ultrasonica dello spruzzo.

 

Parole chiave: pila solare nano-TiO2; film poroso nano-TiO2; rivestimento ultrasonico dello spruzzo

 

Attualmente, la ricerca delle pile solari nano-TiO2 si è trasformata in gradualmente nel punto caldo della ricerca della pila solare. Tuttavia, il problema da risolvere urgentemente per la pila solare nano-TiO2 è che l'efficienza di conversione fotoelettrica è in basso dovuto il metodo della preparazione o il processo della preparazione, che limita seriamente la produzione industrializzata e l'applicazione su grande scala della pila solare nano-TiO2. La causa di origine di questo problema è che l'elettrodo di film sottile pronto TiO2 presenta i vantaggi della struttura compatta, della ricombinazione veloce del elettrone-foro e dell'efficienza di conversione fotoelettrica bassa, in modo da un film TiO2 con un'alta area specifica deve essere preparato. D'altra parte, la struttura porosa può fare la luce solare riflettere i periodi multipli sulla superficie ruvida e migliorare il grado di utilizzazione di luce, di modo che il film poroso TiO2 può facilitare la diffusione dell'elettrolito e del trasferimento degli elettroni, quindi miglioranti l'efficienza di conversione fotoelettrica l'elettrodo assorbe fino a 100% vicino alla sua lunghezza d'onda massima.

 

Contrapponga al processo precedente della preparazione, i nanomaterials ultrasonici auto-in via di sviluppo sono stati selezionati affinchè l'atomizzazione preparino le batterie porose del film sottile nano-TiO2 e per mettere in produzione. Questo articolo fornisce di rimandi gli esperimenti precedenti basati sulla dimostrazione di atomizzazione ultrasonica dei nano-materiali nella preparazione del ruolo poroso della batteria del film sottile nano-TiO2.

 

Nell'esperimento, la polvere TiO2 è stata preparata mescolando la polvere TiO2 con l'etanolo solvente ed il titanato quanto il raccoglitore ed il vetro conduttivo spesso di 2.2mm TFO è stato scelto come substrato. I residui pronti TiO2 sono stati spruzzati uniformemente sul vetro conduttivo trasparente pretrattato di FTO da un'attrezzatura ultrasonica dello spruzzo con un'area dello spruzzo di 1 cm3. Dopo che il film TiO2 è stato asciugato naturalmente, i residui sono stati disposti in un forno a muffola per il trattamento termico. In primo luogo a 10 ℃/velocità minima è aumentato a ℃ 450, tenendo il min 30 e poi naturalmente si è raffreddato 80 a ℃, il film poroso nano-TiO2.

 

I film porosi nano-TiO2 pronti dal metro dell'impedenza sono stati provati e trovato che i valori potenziali erano equivalenti a quelli degli elettrodi della pellicola piana pronti con il metodo di stampa dello schermo. Tuttavia, la preparazione dell'elettrodo della membrana dal rivestimento dello spruzzo è facile da operare ed i residui non sono facili da essere sprecato, lo spessore ed il basso costo di attrezzatura, per una vasta gamma di promozione, ha maggior valore dell'applicazione. Un altro vantaggio del rivestimento ultrasonico dello spruzzo è di ridurre la quantità di raccoglitore nei residui, che aumentano la porosità dell'elettrodo della membrana e quindi aumentano la capacità dello strato della carica spaziale sulla superficie del semiconduttore, quindi aumentante il potenziale della piano-banda dell'elettrodo della membrana.

 

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Tempo del pub : 2018-01-17 14:31:29 >> lista di notizie
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Persona di contatto: Ms. Hogo Lv

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